Equipe da Universidade de Pequim desenvolve dispositivo de energia baseado em GaN em modo de aprimoramento superior a 10.000 volts

A equipe de pesquisa da Universidade de Pequim desenvolveu com sucesso um dispositivo de potência baseado em GaN de modo de aprimoramento superior a 10.000 volts, propondo um novo tipo de transistor de passivação ativa. Esta tecnologia resolve efetivamente os problemas de efeitos de armadilha de alto campo e efeitos de concentração de campo elétrico e atinge características de baixa resistência dinâmica.