Бээжингийн их сургуулийн баг 10,000 вольтоос дээш хүчдэлтэй GaN-д суурилсан цахилгаан төхөөрөмжийг сайжруулах горимыг боловсруулдаг

Бээжингийн их сургуулийн судалгааны баг шинэ төрлийн идэвхтэй идэвхгүйжүүлэлтийн транзисторыг санал болгосноор 10,000 вольтоос дээш хүчин чадалтай GaN-д суурилсан хүчирхэг төхөөрөмжийг амжилттай бүтээжээ. Энэхүү технологи нь өндөр талбайн урхины нөлөө болон цахилгаан талбайн концентрацийн нөлөөллийн асуудлыг үр дүнтэй шийдэж, бага динамик эсэргүүцлийн шинж чанарыг олж авдаг.