Mianchi Grofschaft Compound Semiconductor Silicon Carbide Material Projet Ënnerschrëft

De Mianchi County Compound Semiconductor Silicon Carbide Material Projet an de festen Offall iwwergräifend Notzung Gallium Arsenide Substrat Projet goufen erfollegräich ënnerschriwwen, mat enger Gesamtinvestitioun vun 1 Milliard Yuan. De Projet wäert eng industriell Produktiounslinn fir Siliziumkarbidleitend Substratveraarbechtung mat enger jährlecher Ausgab vu 25.000 Stécker bauen, an e Galliumarsenid-Kristall- a Substratveraarbechtung a Fabrikatiounsprojet mat enger jährlecher Ausgab vu 400.000 Stécker.