Zhongjiang Semiconductor IGBT layihəsinin əsas binası bağlanıb

Zhongjiang Semiconductor-un IGBT mis örtüklü keramika substratının sənayeləşdirilməsi layihəsinin əsas binası bağlandı və ikinci dərəcəli struktur tikinti mərhələsinə daxil olur. Bu layihə 2024-cü ildə Jiangsu əyalətində əsas bələdiyyə layihələrindən biridir. O, Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. tərəfindən ümumi 1 milyard yuan investisiya ilə tikilir. Avadanlıqların quraşdırılmasına bu il aprelin sonunda başlanacağı və oktyabrın sonunda başa çatdırılaraq istehsala buraxılacağı gözlənilir.