تم تغطية المبنى الرئيسي لمشروع Zhongjiang Semiconductor IGBT

تم الانتهاء من المبنى الرئيسي لمشروع تصنيع الركائز الخزفية المكسوة بالنحاس IGBT التابع لشركة Zhongjiang Semiconductor، وهو يدخل مرحلة بناء الهيكل الثانوي. يعد هذا المشروع أحد المشاريع البلدية الكبرى في مقاطعة جيانغسو في عام 2024. وقد تم بناؤه من قبل شركة Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. بإجمالي استثمار قدره 1 مليار يوان. ومن المتوقع أن يبدأ تركيب المعدات في نهاية أبريل من هذا العام، وسيتم الانتهاء منها ودخولها حيز الإنتاج في نهاية أكتوبر.