Jiangsu Chengsheng Tecnología oguenohẽ proyecto dispositivo de alta potencia Qisi

Ára 15 jasyporundy jave, Jiangsu Chengsheng Technology omotenonde porã conferencia de lanzamiento proyecto dispositivo de alta potencia Qisi Gaoyou, Yangzhou, Jiangsu-pe. Ko proyecto oreko plan inversión total 900 millones de yuanes ha principalmente oproducíta umi dispositivo de alta potencia, SiC, envasado módulo IGBT ha producto de prueba. Ko proyecto oime Zona de Desarrollo Económico Gaoyou-pe ha oreko fábrica autoconstruida orekóva 30.740 metro cuadrado, umíva apytégui 23.000 metro cuadrado ojeporu taller de producción-pe guarã. Ko proyecto oñemotenondéta mokõi fase, orekóva inversión 480 millones de yuanes peteîha fase Oñeha'ãrõ producción masiva agosto ko arýpe, orekóva producción anual 330 millones de dispositivos discretos ha 1,2 millones de módulos.