Jiangsu Chengsheng Technology lanserer Qisi-prosjekt med høy effekt
Fuyou-teknologi
Saida Semiconductor
De
IGBT
Pro
De
test
produksjon
Jiangsu
sak
fabrikk
år
SiC
prosjekt
2024-12-25 14:27
34
Den 15. januar holdt Jiangsu Chengsheng Technology vellykket lanseringskonferansen for Qisi-prosjektet med høy effekt i Gaoyou, Yangzhou, Jiangsu. Prosjektet planlegger en total investering på 900 millioner yuan og vil hovedsakelig produsere høyeffektenheter, SiC, IGBT-modulemballasje og testprodukter. Prosjektet ligger i Gaoyou Economic Development Zone og har en selvbygd fabrikk på 30.740 kvadratmeter, hvorav 23.000 kvadratmeter brukes til produksjonsverksteder. Prosjektet vil bli implementert i to faser, med en investering på 480 millioner yuan i første fase. Det forventes å bli masseprodusert i august i år, med en årlig produksjon på 330 millioner diskrete enheter og 1,2 millioner moduler.
