შიდა სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ტექნოლოგიური მიღწევა

შიდა სილიციუმის კარბიდის ვაფლის ფაბრიკებმა მიაღწიეს საერთაშორისო მოწინავე დონეს 4 დიუმიანი და 6 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის ხარისხის თვალსაზრისით, მაგრამ ჯერ კიდევ არის ხარვეზი 8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის ტექნოლოგიაში. თუმცა, ტექნოლოგიის უწყვეტი მიღწევებით, მოსალოდნელია, რომ შიდა მწარმოებლები მიაღწიონ გასწრებას კუთხეებში.