Компанія Feidian Semiconductor самостійно розробила SiC MOSFET і отримала сертифікат AEC-Q101 для автомобілів

Автомобільні SiC MOSFET пристрої 1200 В 35/70/160 мОм і 650 В 30/45/60 мОм, незалежно розроблені компанією Feidian Semiconductor, успішно отримали сертифікат надійності автомобільного класу AEC-Q101 і пройшли суворий високовольтний тест H3TRB 960 В.