El MOSFET de SiC de 1200 V/80 mΩ de Xingan Technology obtuvo la certificación de grado automotriz
Tecnología Xingan
1200 V
AEC-Q
Es
MOSFET
MOSFET de SiC
es
lente
independiente
auto
lente
fiabilidad
auto
A
2024-12-25 11:22
38
El dispositivo MOSFET de SiC de 1200 V/80 mΩ desarrollado independientemente por Xingan Technology ha pasado la certificación de confiabilidad de terceros nacional y obtuvo con éxito un conjunto completo de certificaciones de confiabilidad de grado automotriz AEC-Q101. Esta certificación refleja el excelente rendimiento de los productos de dispositivos MOSFET de carburo de silicio de Xingan Technology en términos de confiabilidad y estabilidad.
