Xingan Technologys 1200V/80mΩ SiC MOSFET opnåede automotive grade certificering
Xingan teknologi
1200V
AEC-Q
De
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
De
del
bil
pålidelighed
ring
tab
SiC
udvikle
EC
bil
2024-12-25 11:22
38
1200V/80mΩ SiC MOSFET-enheden, der er uafhængigt udviklet af Xingan Technology, har bestået en indenlandsk tredjeparts pålidelighedscertificering og har med succes opnået et komplet sæt af AEC-Q101 pålidelighedscertificering for biler. Denne certificering afspejler den fremragende ydeevne af Xingan Technologys siliciumcarbid MOSFET-enhedsprodukter med hensyn til pålidelighed og stabilitet.
