Hanxin Technologys SiC MOSFET og SiC JBS produkter opnåede AEC-Q101 automotive certificering

Hanxin Technologys fjerde generation af siliciumcarbid diode H4S120G020 og anden generation af siliciumcarbid MOSFET H2M120F080 har bestået AEC-Q101 automotive grade certificering. Disse produkter er velegnede til strømkonverteringsenheder i nye energikøretøjer, ladebunker, jernbanetransit og smart grids.