Die SiC-MOSFET- und SiC-JBS-Produkte von Hanxin Technology haben die AEC-Q101-Automobilzertifizierung erhalten

Die Siliziumkarbiddiode H4S120G020 der vierten Generation und der Siliziumkarbid-MOSFET H2M120F080 der zweiten Generation von Hanxin Technology haben die AEC-Q101-Zertifizierung für die Automobilindustrie erfolgreich bestanden. Diese Produkte eignen sich für Stromumwandlungsgeräte in Fahrzeugen mit neuer Energie, Ladesäulen, im Schienenverkehr und in intelligenten Netzen.