Rohm และ Infineon พัฒนาสถาปัตยกรรม MOSFET แบบร่องลึก
สามารถ
มา
ที่
มาก
นี้
งาน
และ
เล็ก
พลังงาน
ชิป
ชิป
รถ
สูง
ความหนาแน่น
สูง
พลัง
ออกแบบ
ยก
สถาปัตยกรรม
ขนาด
พัฒนา
ความหนาแน่นของพลังงาน
นี้
รถ
ของ
และ
2024-12-25 10:53
65
Rohm และ Infineon กำลังพัฒนาสถาปัตยกรรม Trench MOSFET ที่ซับซ้อนมากขึ้น การออกแบบนี้ช่วยให้สามารถเปลี่ยนแปลงขั้นตอนในระยะห่างระหว่างเซลล์ ทำให้ได้ชิปขนาดเล็กลงและมีความหนาแน่นของพลังงานสูงขึ้น
Prev:Rohm và Infineon phát triển kiến trúc MOSFET rãnh
Next:Rohm ແລະ Infineon ພັດທະນາສະຖາປັດຕະຍະກໍາ Trench MOSFET
News
Exclusive
Data
Account