Rohm และ Infineon พัฒนาสถาปัตยกรรม MOSFET แบบร่องลึก

2024-12-25 10:53
 65
Rohm และ Infineon กำลังพัฒนาสถาปัตยกรรม Trench MOSFET ที่ซับซ้อนมากขึ้น การออกแบบนี้ช่วยให้สามารถเปลี่ยนแปลงขั้นตอนในระยะห่างระหว่างเซลล์ ทำให้ได้ชิปขนาดเล็กลงและมีความหนาแน่นของพลังงานสูงขึ้น