Pamięć flash QLC NAND zastępuje dysk twardy i TLC w toku

Obecnie wszyscy główni producenci pamięci flash wprowadzili na rynek produkty QLC NAND. Od 2018 roku firmy Samsung, Micron, Toshiba, Western Digital itp. wypuściły 96-warstwowe pamięci QLC NAND. W 2020 roku firma Yangtze Memory wprowadziła także na rynek pierwszą w branży 128-warstwową pamięć flash QLC NAND. W 2021 roku, kiedy Samsung wypuścił 176-warstwową pamięć flash QLC NAND, znacznie poprawiła się prędkość zapisu, osiągając 320 MB/s. To sprawia, że ​​prędkość zapisu w pamięci flash QLC NAND jest w dużym stopniu większa niż w przypadku mechanicznych dysków twardych (HDD), co stanowi podstawę dla pamięci flash QLC NAND do zastąpienia mechanicznych dysków twardych. W 2022 roku firma SK Hynix zademonstrowała 192-warstwową pamięć flash QLC NAND. W zeszłym roku firma Samsung ogłosiła, że ​​pracuje nad dyskami półprzewodnikowymi QLC NAND o pojemności ponad 1000 TB, czyli petabajtach.