របកគំហើញថ្មីនៅក្នុងវិស័យសូលុយស្យុងស៊ីលីកុន៖ ការអភិវឌ្ឍន៍ដោយជោគជ័យនៃធាតុក្រុមស៊ីលីកុនទាំងអស់ដែលបូមដោយអេឡិចត្រូលីតរលកបន្តបន្ទាប់នៃឡាស៊ែរ semiconductor

ក្រុមអ្នកវិទ្យាសាស្ត្រមកពីមជ្ឈមណ្ឌលស្រាវជ្រាវ Helmholtz Jülich ក្នុងប្រទេសអាឡឺម៉ង់ បានបង្កើតដោយជោគជ័យនូវធាតុផ្សំនៃក្រុមស៊ីលីកុនដំបូងបង្អស់ដែលបូមដោយអគ្គិសនីដោយឡាស៊ែរ semiconductor រលកជាបន្តបន្ទាប់។ ឡាស៊ែរត្រូវបានដាំដុះដោយផ្ទាល់នៅលើ wafer ស៊ីលីកុន ហើយត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងអាចប្រើប្រាស់បានជាមួយនឹងបច្ចេកវិទ្យាផលិតបន្ទះឈីប CMOS ប្រពៃណី និងសមរម្យសម្រាប់ការរួមបញ្ចូលដោយគ្មានថ្នេរជាមួយនឹងដំណើរការផលិតស៊ីលីកុនដែលមានស្រាប់។