Feidian Semiconductor пуска най-новото поколение (Gen3) MOSFET продукти от силициев карбид

Feidian Semiconductor пусна трето поколение силициево-карбидни MOSFET продукти, включително разнообразие от стандартни пазарни спецификации, като 1200V 14/18/30/40/80mohm и 750V 11mohm, за да отговори на нуждите на различни приложения. Този продукт има по-добра последователност на параметрите, по-ниски загуби при превключване и по-добри характеристики на проводимост и се използва широко в зареждащи купчини, фотоволтаици и съхранение на енергия, OBC/DCDC/главно задвижване на превозни средства и други области.