Feidian Semiconductor lansira izdelke MOSFET iz silicijevega karbida najnovejše generacije (Gen3)

Podjetje Feidian Semiconductor je lansiralo tretjo generacijo MOSFET izdelkov iz silicijevega karbida, vključno z različnimi tržnimi specifikacijami, kot sta 1200 V 14/18/30/40/80 mohm in 750 V 11 mohm, za izpolnjevanje potreb različnih aplikacij. Ta izdelek ima boljšo konsistentnost parametrov, nižje preklopne izgube in boljše prevodne lastnosti ter se pogosto uporablja pri polnilnih pilotih, fotovoltaiki in shranjevanju energije, OBC/DCDC/glavnem pogonu vozil in drugih področjih.