Jiaxing Star Microelectronics Co., Ltd.-ის მაღალი ძაბვის დამახასიათებელი პროცესორული სიმძლავრის ჩიპი და SiC ჩიპების R&D და ინდუსტრიალიზაციის პროექტები წარმოებაში შევა მარტში.

Jiaxing Star Microelectronics Co., Ltd.-ს მაღალი ძაბვის დამახასიათებელი პროცესორული სიმძლავრის ჩიპი და SiC ჩიპების R&D და ინდუსტრიალიზაციის პროექტები, სავარაუდოდ, ამოქმედდება მიმდინარე წლის მარტში. პროექტი განლაგებულია ნანჰუს რაიონში, ჯიაქსინგში, მთლიანი ინვესტიციით 2 მილიარდი იუანი, მისი ექსპლუატაციაში შესვლის შემდეგ, იგი მიაღწევს წლიურ გამომუშავებას 360,000 დენის ჩიპს და წლიურ გამომუშავებას 1 მილიარდ იუანს. Star Semiconductor ფოკუსირებულია IGBT მოდულებზე, MOSFET მოდულებზე და სხვა პროდუქტებზე და უზრუნველყოფს გადაწყვეტილებებს ახალი ენერგეტიკული მანქანებისა და სხვა სფეროებში. და მოიტანა 400 მილიონი იუანი საგადასახადო შემოსავალი ადგილობრივ ტერიტორიაზე.