Η Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. επένδυσε 10 δισεκατομμύρια γιουάν για την κατασκευή ενός έργου υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου

Η Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. σχεδιάζει να επενδύσει συνολικά 10 δισεκατομμύρια γιουάν για την κατασκευή μιας βάσης έρευνας και ανάπτυξης και παραγωγής υλικού υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου. Το έργο χωρίζεται σε τρεις φάσεις κατασκευής Η πρώτη φάση αναμένεται να επενδύσει 2,1 δισεκατομμύρια γιουάν Μετά την ολοκλήρωση, θα έχει ετήσια παραγωγική ικανότητα 240.000 αγώγιμων πλακών υποστρώματος από καρβίδιο πυριτίου και 50.000 επιταξιακών γκοφρετών. Επιπλέον, η εταιρεία έχει υπογράψει μακροπρόθεσμα συμβόλαια αγορών με μεταγενέστερους πελάτες και οι πωλήσεις αναμένεται να φτάσουν τα δισεκατομμύρια γιουάν τα επόμενα χρόνια.