Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investéiert 10 Milliarden Yuan fir e Siliziumcarbid Substratprojet ze bauen

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. plangt insgesamt 10 Milliarden Yuan ze investéieren fir e Siliziumcarbid Substratmaterial R&D a Produktiounsbasis ze bauen. De Projet ass opgedeelt an dräi Phasen vun der Konstruktioun Déi éischt Phase gëtt erwaart 2,1 Milliarden Yuan ze investéieren Nom Fäerdegstellung wäert et eng jährlech Produktiounskapazitéit vun 240.000 konduktiven Siliziumkarbid-Substratwaferen hunn. Zousätzlech huet d'Firma laangfristeg Akeefverträg mat Downstream Clienten ënnerschriwwen, a säi Verkaf gëtt erwaart Milliarden vu Yuan an den nächste Joren z'erreechen.