ບໍລິສັດ Zhanxin Electronics ເປີດຕົວຜະລິດຕະພັນ 650V SiC MOSFET ລຸ້ນທີສອງ 3 ລຸ້ນ, ຜ່ານການຢັ້ງຢືນຊັ້ນຮຽນຂອງລົດຍົນ.

Zhanxin Electronics ບໍ່ດົນມານີ້ໄດ້ເປີດຕົວສາມຜະລິດຕະພັນ 650V SiC MOSFET ຮຸ່ນທີສອງ, ເຊິ່ງໄດ້ຜ່ານການຢັ້ງຢືນລະດັບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລົດຍົນຢ່າງເຂັ້ມງວດ (AEC-Q101 Qualified). ຊິບ SiC MOSFET ລຸ້ນທີສອງເຫຼົ່ານີ້ມີລະດັບການສູນເສຍຕ່ໍາສຸດຂອງອຸດສາຫະກໍາແລະແຮງດັນໄຟຟ້າຂອງ 15V ~ 18V, ແລະມີຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ດີ. ຜະລິດຕະພັນສາມເຫຼົ່ານີ້ມີຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ 25mΩ, 40mΩ ແລະ 60mΩ ຕາມລໍາດັບ, ແລະຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນ TO247-4 ພວກມັນສາມາດນໍາໃຊ້ໄດ້ໃນລະດັບອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ° C ຫາ 175 ° C. ນອກຈາກນັ້ນ, ນັບຕັ້ງແຕ່ຊຸດ TO247-4 ມີ pins ແຫຼ່ງ Kelvin, ແຮງດັນຂອງປະຕູຮົ້ວສາມາດຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.