ROHM errichtet in Japan eine neue Produktionsstätte für Siliziumkarbid-Wafer

Rohm Semiconductor gab bekannt, dass es in der Präfektur Miyazaki, Japan, eine neue Produktionsbasis für Siliziumkarbid-Wafer errichten wird. Dabei handelt es sich um die erste Produktionsbasis des Unternehmens für Siliziumkarbid-Wafer in Japan. Die Basis wird hauptsächlich ROHMs internen Bedarf an Siliziumkarbid-Wafern decken.