Xineng Semiconductor ຄາດວ່າຜົນຜະລິດປະຈໍາປີຈະບັນລຸ 4.8 ລ້ານໂມດູນ IGBT ແລະ 600,000 SiC MOS ໂມດູນ.

ຫຼັງຈາກສາຍການຜະລິດທັງໝົດທີ່ວາງແຜນໂດຍ Core Energy Semiconductor ສຳເລັດແລ້ວ, ຄາດວ່າຈະບັນລຸຜົນຜະລິດ 4.8 ລ້ານໂມດູນ IGBT ແລະ SiC MOS 600,000 ໂມດູນ, ເຊິ່ງມີລາຍຮັບປະຈໍາປີປະມານ 1,5 ຕື້ຢວນ.