ROHM's SiC Substrat Layout

45
Duerch d'Acquisitioun vun SiCrystal, en däitsche SiC Substrat Hiersteller, huet ROHM eng Verlängerung vum Apparat Enn bis zum Substratmaterial Enn erreecht. Fir den Downstream Nofro gerecht ze ginn, huet de Rohm decidéiert 8-Zoll SiC-Substrate an hirer zweeter Fabréck an der Miyazaki Prefecture ze produzéieren, déi erwaart gëtt d'Produktioun am Joer 2024 unzefänken.