Стартиран проект за съставни полупроводници от трето поколение Shandong Heze 4/6 инча

98
Wudian Town, Mudan District, Heze City обяви, че 4/6-инчовият трето поколение съставен полупроводников галиев нитрид GaN и силициев карбид SiC проект с обща инвестиция от 3,5 милиарда юана е започнал на 26 февруари. Проектът се изпълнява в две фази, основно за производство на повърхностно излъчващи лазерни продукти VCSEL.