山東菏澤4/6吋第三代化合物半導體計畫啟動

菏澤市牡丹區吳店鎮宣布，總投資35億元的4/6吋第三代化合物半導體氮化鎵GaN和碳化矽SiC計畫已於2月26日開工。本計畫分為兩期實施，第一期主要生產砷化鎵半導體面射型鐳射VCSEL產品，預計2025年7月試生產。