Fasa pertama projek IGBT Semikonduktor Jingyitong dihadkan dan nilai keluaran tahunan dijangka mencecah 1 bilion yuan.

Fasa pertama bahan modul IGBT dan projek taman industri modul pembungkusan dan ujian Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. telah berjaya dihadkan. Jumlah pelaburan projek itu ialah 1.2 bilion yuan, dan nilai keluaran tahunan dijangka mencecah 1 bilion yuan. Projek itu terletak di Taman Perindustrian Maklumat Elektronik Baima, Zon Teknologi Tinggi Neijiang, dan dijangka siap dan dihantar pada April tahun depan.