Pirmasis Jingyitong Semiconductor IGBT projekto etapas yra apribotas ir tikimasi, kad metinė produkcijos vertė pasieks 1 milijardą juanių.

Pirmasis Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. IGBT modulių medžiagų ir pakavimo bei testavimo modulio pramoninio parko projekto etapas buvo sėkmingai užbaigtas. Bendros projekto investicijos siekia 1,2 milijardo juanių, o metinė produkcijos vertė turėtų siekti 1 milijardą juanių. Projektas yra Baimos elektroninės informacijos pramonės parke, Neijiang aukštųjų technologijų zonoje, ir tikimasi, kad jis bus baigtas ir pristatytas kitų metų balandį.