Pierwsza faza projektu Jingyitong Semiconductor IGBT jest ograniczona i oczekuje się, że roczna wartość produkcji osiągnie 1 miliard juanów.

Pierwsza faza projektu parku przemysłowego dotyczącego materiałów na moduły IGBT oraz modułu pakowania i testowania firmy Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. została pomyślnie zakończona. Całkowita wartość inwestycji w ramach projektu wynosi 1,2 miliarda juanów, a roczna wartość produkcji ma osiągnąć 1 miliard juanów. Projekt zlokalizowany jest w parku przemysłowym Baima Electronic Information, w strefie zaawansowanych technologii Neijiang, a jego ukończenie i dostawa mają nastąpić w kwietniu przyszłego roku.