Първата фаза на проекта Jingyitong Semiconductor IGBT е ограничена и се очаква годишната продукция да достигне 1 милиард юана.

Първата фаза на проекта за индустриален парк за модулни материали и модули за опаковане и тестване на IGBT на Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. беше успешно ограничена. Общата инвестиция на проекта е 1,2 милиарда юана, а годишната продукция се очаква да достигне 1 милиард юана. Проектът се намира в Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang High-tech Zone, и се очаква да бъде завършен и доставен през април следващата година.