Prva faza projekta Jingyitong Semiconductor IGBT je omejena in letna vrednost proizvodnje naj bi dosegla 1 milijardo juanov.

Prva faza projekta industrijskega parka materiala in embalaže modula IGBT ter modula za testiranje podjetja Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. je bila uspešno zaključena. Celotna naložba v projekt je 1,2 milijarde juanov, letna vrednost proizvodnje pa naj bi dosegla 1 milijardo juanov. Projekt se nahaja v elektronskem informacijskem industrijskem parku Baima v visokotehnološki coni Neijiang in bo predvidoma dokončan in dostavljen aprila naslednje leto.