Prima fază a proiectului Jingitong Semiconductor IGBT este limitată, iar valoarea producției anuale este de așteptat să atingă 1 miliard de yuani.

Prima fază a proiectului de parcul industrial al materialului modulului IGBT și al modulelor de ambalare și testare al Jingitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. a fost limitată cu succes. Investiția totală a proiectului este de 1,2 miliarde de yuani, iar valoarea anuală a producției este de așteptat să atingă 1 miliard de yuani. Proiectul este situat în Baima Electronic Information Industrial Park, zona de înaltă tehnologie Neijiang, și este de așteptat să fie finalizat și livrat în aprilie anul viitor.