Первая фаза проекта Jingyitong Semiconductor IGBT завершена, и ожидается, что годовой объем производства достигнет 1 миллиарда юаней.

Успешно завершен первый этап проекта промышленного парка модуля материалов, упаковки и тестирования модуля IGBT компании Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. Общий объем инвестиций в проект составляет 1,2 миллиарда юаней, а годовой объём производства, как ожидается, достигнет 1 миллиарда юаней. Проект расположен в индустриальном парке электронной информации Байма, зоне высоких технологий Нейцзян. Ожидается, что он будет завершен и сдан в апреле следующего года.