La primera fase del proyecto IGBT de Jingyitong Semiconductor tiene un límite y se espera que el valor de producción anual alcance los mil millones de yuanes.

La primera fase del proyecto del parque industrial de módulos de prueba y embalaje y material de módulos IGBT de Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. ha finalizado con éxito. La inversión total del proyecto es de 1.200 millones de yuanes y se espera que el valor de producción anual alcance los 1.000 millones de yuanes. El proyecto está ubicado en el Parque Industrial de Información Electrónica Baima, Zona de Alta Tecnología de Neijiang, y se espera que esté terminado y entregado en abril del próximo año.