Den första fasen av Jingyitong Semiconductor IGBT-projektet är begränsad och det årliga produktionsvärdet förväntas uppgå till 1 miljard yuan.

Den första fasen av Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd.s projekt för IGBT-modulmaterial och förpacknings- och testmodulens industripark har framgångsrikt avslutats. Den totala investeringen i projektet är 1,2 miljarder yuan, och det årliga produktionsvärdet förväntas uppgå till 1 miljard yuan. Projektet ligger i Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang High-tech Zone, och förväntas vara färdigt och levererat i april nästa år.