Fyrsti áfangi Jingyitong Semiconductor IGBT verkefnisins er settur yfir og gert er ráð fyrir að árlegt framleiðsluverðmæti nái 1 milljarði júana.

Fyrsta áfangi IGBT-einingarinnar efnis og pökkunar- og prófunareininga iðnaðargarðsverkefnis Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. hefur verið lokað með góðum árangri. Heildarfjárfesting verkefnisins er 1,2 milljarðar júana og gert er ráð fyrir að árlegt framleiðsluverðmæti nái 1 milljarði júana. Verkefnið er staðsett í Baima Electronic Information Industrial Park, Neijiang hátæknisvæði, og er gert ráð fyrir að það verði lokið og afhent í apríl á næsta ári.