STMicroelectronics planuoja sukurti GaN-on-Si heteroepitaksinę gamybos liniją Tours mieste, Prancūzijoje

„STMicroelectronics“ planuoja sukurti gamybos liniją, kuri visiškai atitiktų jos priekinės plokštelės gamyklos Tours mieste, Prancūzijoje, reikalavimus, įskaitant GaN-on-Si heteroepitaksinę gamybos liniją. Ši gamybos linija padės padidinti silicio pagrindu pagamintų GaN gamybos pajėgumus ir parems 5G belaidžių tinklų statybą.