Компания Fuzhou Gallium Valley Semiconductor инвестировала 1 млрд юаней в исследования, разработки и производство эпитаксиальных пластин GaN.

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. планирует инвестировать 1 миллиард юаней в исследования, разработку и производство эпитаксиальных пластин GaN из полупроводникового материала третьего поколения. Компания была основана в июле 2022 года. Ее основная продукция включает нитрид галлия на кремнии (GaN на Si), нитрид галлия на карбиде кремния (GaN на SiC) и нитрид галлия на сапфире (GaN на сапфире).