Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company invirtió mil millones de yuanes para centrarse en la I+D y la producción de obleas epitaxiales de GaN.

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. planea invertir mil millones de yuanes en la investigación, el desarrollo y la producción de obleas epitaxiales de GaN de material semiconductor de tercera generación. La empresa se fundó en julio de 2022. Sus principales productos incluyen nitruro de galio sobre silicio (GaN sobre Si), nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN sobre SiC) y nitruro de galio sobre zafiro (GaN sobre zafiro).