Первая очередь завода Haiqian Semiconductor введена в эксплуатацию с годовой производительностью 46 800 штук.

12 линий по производству 6-дюймовых эпитаксиальных пластин SiC компании Haiqian Semiconductor полностью введены в эксплуатацию. Ежемесячная производительность продукции, отвечающей требованиям уровня MOSFET 1200 В, достигла 3900 пластин, а годовая производительность достигла 46 800 пластин.