Tony Electronics ประกาศการขยายโครงการ SiC และคาดว่าจะเพิ่มกำลังการผลิตวัสดุซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 6 นิ้วจำนวน 200,000 ชิ้นต่อปี

Tony Electronics ประกาศว่าจะขยายโครงการ SiC ในเมือง Zhili เขต Wuxing เมือง Huzhou โดยเพิ่มผลผลิตวัสดุซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 6 นิ้วจำนวน 200,000 ชิ้นต่อปี โครงการนี้มีเงินลงทุนทั้งหมด 469 ล้าน โดยมีบริษัทในเครือ Tony Semiconductor เป็นผู้รับผิดชอบในการก่อสร้าง คาดว่าจะแล้วเสร็จในช่วงครึ่งแรกของปี 2566