हुआवेई ने नए SiC क्रिस्टल पेटेंट का खुलासा किया

हुआवेई टेक्नोलॉजीज कंपनी लिमिटेड ने हाल ही में सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में क्रिस्टल की गुणवत्ता को अनुकूलित करने के उद्देश्य से "बैफल, चिप, सीआईसी क्रिस्टल, क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस और ग्रोथ मेथड" नामक एक नए पेटेंट का खुलासा किया। पेटेंट क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस में बैफल्स स्थापित करके एक नई क्रिस्टल ग्रोथ विधि का प्रस्ताव करता है, जिससे गैस चरण स्रोत की गति की दिशा बदल जाती है ताकि यह बीज क्रिस्टल के पहलुओं की ओर तिरछा ऊपर की ओर बढ़े, जिससे विकास दर और मोटाई बढ़ जाती है। क्रिस्टल का सूक्ष्मनलिका घनत्व कम करें। इसके अलावा, पेटेंट क्रिस्टल की गुणवत्ता में सुधार के लिए बाफ़ल सामग्री के रूप में कम घनत्व वाले ग्रेफाइट का उपयोग करने का भी सुझाव देता है।