Samsung Electronics oproduci haguã en masa memoria flash V-NAND 9a generación

Péicha he'i fuente, Samsung Electronics oñeha'ãrõ oñepyrü producción masiva memoria flash V-NAND 9a generación ko jasy pahápe, ha número de capas apiladas memoria flash oguahëta 290. Okakuaávo demanda umi dispositivo de almacenamiento de alto rendimiento ha tuicha escala, Samsung Electronics oreko avei plan omoherakuãvo chips NAND 430 capas ambue arýpe.