Samsung Electronics do të prodhojë në masë memorien flash V-NAND të gjeneratës së 9-të

Sipas burimeve, Samsung Electronics pritet të fillojë prodhimin masiv të memories flash V-NAND të gjeneratës së 9-të në fund të këtij muaji dhe numri i shtresave të grumbulluara të memories flash do të arrijë në 290. Ndërsa kërkesa për pajisje të ruajtjes me performancë të lartë dhe në shkallë të gjerë rritet, Samsung Electronics gjithashtu planifikon të lançojë çipat NAND me 430 shtresa vitin e ardhshëm.