„Samsung Electronics“ masiškai gamins 9-osios kartos V-NAND „flash“ atmintį

Šaltinių teigimu, „Samsung Electronics“ masinę 9-osios kartos V-NAND „flash“ atminties gamybą turėtų pradėti šį mėnesį, o sukrautų „flash“ atminties sluoksnių skaičius sieks 290. Augant didelio našumo ir didelio masto saugojimo įrenginių paklausai, „Samsung Electronics“ kitais metais taip pat planuoja išleisti 430 sluoksnių NAND lustus.