Samsung Electronics bo množično proizvedel bliskovni pomnilnik V-NAND 9. generacije

Glede na vire naj bi Samsung Electronics pozneje ta mesec začel množično proizvodnjo 9. generacije bliskovnega pomnilnika V-NAND, število zloženih plasti bliskovnega pomnilnika pa bo doseglo 290. Ker povpraševanje po visoko zmogljivih in obsežnih napravah za shranjevanje raste, Samsung Electronics naslednje leto načrtuje tudi lansiranje 430-slojnih NAND čipov.