Η Samsung Electronics θα παράγει μαζικά μνήμη flash V-NAND 9ης γενιάς

Σύμφωνα με πηγές, η Samsung Electronics αναμένεται να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της μνήμης flash V-NAND 9ης γενιάς αργότερα αυτόν τον μήνα και ο αριθμός των στοιβαγμένων στρωμάτων της μνήμης flash θα φτάσει τα 290. Καθώς η ζήτηση για συσκευές αποθήκευσης υψηλής απόδοσης και μεγάλης κλίμακας αυξάνεται, η Samsung Electronics σχεδιάζει επίσης να κυκλοφορήσει τσιπ NAND 430 επιπέδων το επόμενο έτος.