Samsung Electronics producirá en masa memoria flash V-NAND de novena generación

Según las fuentes, se espera que Samsung Electronics comience la producción en masa de la memoria flash V-NAND de novena generación a finales de este mes, y el número de capas apiladas de la memoria flash llegará a 290. A medida que crece la demanda de dispositivos de almacenamiento a gran escala y de alto rendimiento, Samsung Electronics también planea lanzar chips NAND de 430 capas el próximo año.