Die tweede fase van Fujian Jingxu Semiconductor Technology-projek is ten volle beperk en sal na verwagting teen die einde van die jaar toerustingssimulasietoestande hê

Die tweede fase van die projek van Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. is ten volle beperk en interne versieringswerk is tans aan die gang. Die doel is om toerusting-simulasietoestande voor die einde van die jaar te bereik. Hierdie projek handel oor die vervaardiging van hoëfrekwensie-filterskyfies gebaseer op die nuwe materiaal van galliumoksied piëzo-elektriese film. Konstruksie sal in Desember 2023 begin, met 'n totale belegging van 1,68 miljard yuan en 'n oppervlakte van 136 hektaar. Nadat die projek voltooi is, sal dit die wêreld se eerste ultrawye bandgap-halfgeleier-hoëfrekwensie-filterskyfie-produksielyn word, met 'n geskatte jaarlikse produksie van 400kk en 'n uitsetwaarde van ongeveer 1 miljard yuan. Dit sal 'n gaping in die huishoudelike veld van nuwe materiale vir galliumoksied piëso-elektriese films vul en 'n belangrike impak hê op die ontwikkeling van die nuwe materiaalbedryf in Shanghang County.